中小尺寸面板是
夏普
(Sharp)营运重整的关键事业，而采用氧化物半导体IGZO技术的面板更是夏普寄予厚望的产品，但对全球家成功量产IGZO面板的夏普来说，其在IGZO面板的优势恐将不再？
日本媒体日刊工业新闻26日报导，日本神户制钢所(Kobe Steel)已研发出具有「易于量产」特性的薄膜电晶体(TFT)用氧化物半导体材料，其左右耗电力性能的电子迁移率(electron mobility)达10平方公尺/V.S(伏特.秒)，达现行主流的非晶矽TFT的10倍以上，足以媲美夏普已率先进行量产的氧化物半导体「IGZO」。
报导指出，藉由和夏普IGZO的相互竞争，可望加快次世代面板的研发脚步。据报导，夏普全球进行量产的IGZO是由「铟、镓、锌、氧」构成，惟神户制钢所研发的新材料的组成则不明。
日本媒体产经新闻曾于2012年12月8日报导指出，据业界关系人士指出，夏普的IGZO技术恐将于1-2年内「过时」，主因IGZO基础专利并非由夏普所拥有，而是由科学技术振兴机构(JST)所拥有，而JST倾向于广泛向日本国内外企业进行授权，其中JST已于2011年夏天和三星电子签订了IGZO的授权契约。
日本媒体日刊工业新闻26日报导，日本神户制钢所(Kobe Steel)已研发出具有「易于量产」特性的薄膜电晶体(TFT)用氧化物半导体材料，其左右耗电力性能的电子迁移率(electron mobility)达10平方公尺/V.S(伏特.秒)，达现行主流的非晶矽TFT的10倍以上，足以媲美夏普已率先进行量产的氧化物半导体「IGZO」。
报导指出，藉由和夏普IGZO的相互竞争，可望加快次世代面板的研发脚步。据报导，夏普全球进行量产的IGZO是由「铟、镓、锌、氧」构成，惟神户制钢所研发的新材料的组成则不明。
日本媒体产经新闻曾于2012年12月8日报导指出，据业界关系人士指出，夏普的IGZO技术恐将于1-2年内「过时」，主因IGZO基础专利并非由夏普所拥有，而是由科学技术振兴机构(JST)所拥有，而JST倾向于广泛向日本国内外企业进行授权，其中JST已于2011年夏天和三星电子签订了IGZO的授权契约。
