的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）今天宣布，基于公司成熟的0.13微米SONOS嵌入式存储器工艺平台，已成功地开发出了具有超高可靠性（UHR - Ultra High Reliability）的嵌入式非挥发性存储器模块（EEPROM/Flash IP），使0.13微米SONOS EEPROM/Flash IP的数据保存时间从常规的10年提升到了超过30年，而擦写次数则从100K大幅提高到超过500K。这次在0.13微米嵌入式存储器工艺上的技术提升将进一步扩大华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器代工市场上的竞争优势，巩固公司在智能卡和安全类芯片领域的领导厂商地位。
华虹NEC销售与市场副总裁高峰表示：“华虹NEC长期以来致力于嵌入式非挥发性存储器工艺的研发和生产，从0.35微米EEPROM工艺到0.13微米SONOS EEPROM/Flash工艺，一直保持代工领域嵌入式非挥发性存储器技术的地位。针对目前金融IC卡、M2M SIM、智能电表等高端市场对产品高可靠性提出的需求越来越多，要求也越来越高，华虹NEC在0.13微米SONOS EEPROM/Flash IP现有的高性能、超低功耗和超小的面积等众多竞争优势的基础上，又持续进行创新和升级，推出了具备超过30年数据保存时间和50万次数据擦写能力的EEPROM/Flash模块。这次技术的提升能帮助客户进一步巩固其产品的市场竞争力，并支持客户的产品在未来能进入更高端的应用市场。今后，华虹NEC还将在工艺的研发和技术的创新上持续投入，不断地扩大现有的市场竞争优势与领导地位。”
