19家欧洲知名半导体企业和学术机构宣布正式启动为期3年3.6亿欧元的Places2Be先进技术试制项目，支持全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)技术的产业化。
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)被指定为该项目的负责方。Places2Be(“Pilot Lines for Advanced CMOS Enhanced by SOI in 2x nodes, Built in Europe”)项目旨在于支持28纳米及以下技术节点的FD-SOI试制生产线的部署以及在欧洲实现规模生产的双货源。 Places2Be将有助于基于FD-SOI平台的欧洲微电子设计生态系统发展，同时探索此项技术向下一个目标(14/10纳米)发展的途径。
FD-SOI是下一代低功耗、高性能半导体制程，可取代标准的(“bulk”)硅和FinFET技术。首批FD-SOI系统级芯片预计将被用于消费电子、高性能计算机和网络设备。
项目预算近3.6亿欧元，来自7个国家的19个组织参与该项目，在三年项目执行期内，计划约500名工程师在欧洲参与项目研发活动，Places2Be是ENIAC联盟迄今的项目，投资方还包括项目成员国的国家机关。 Places2Be是ENIAC JU签定的关键使能技术(KET)试制项目之一，旨在于开发对社会影响巨大的技术和应用领域。
该项目的FD-SOI制造源位于欧洲两个的微电子集群地：试制生产线在意法半导体的Crolles制造厂(法国格靳诺布尔附近)，双制造源在德累斯顿GlobalFoundries1号制造厂(德国)。
意法半导体研发合作计划总监兼项目协调人François Finck表示：“Places2Be项目将加强格勒诺布尔和德累斯顿两个微电子集群地的生态系统发展，除材料和IP投资产生的直接影响外，还会对欧洲整体产业链 –大中小企业、创业公司和研究机构产生积极的影响。”
编者注
Places2Be成员(按字母顺序)
- ACREO Swedish ICT AB, 瑞典
- Adixen Vacuum Products, 法国
- Axiom IC, 荷兰
- Bruco Integrated Circuits, 荷兰
- Commissariat à l"énergie atomique et aux énergies alternatives, 法国
- Dolphin Integration, 法国
- Ericsson AB, 瑞典
- eSilicon Romania S.r.l., 罗马尼亚
- Forschungzentrum Jülich Gmbh, 德国
- GlobalFoundries Dresden, 德国
- Grenoble INP, 法国
- IMEC Interuniversitair Micro-Electronica Centrum vzw, 比利时
- Ion Beam Services, 法国
- Mentor Graphics France Sarl, 法国
- SOITEC SA, 法国
- ST-Ericsson
- 意法半导体（Crolles2 SAS, SA, Grenoble SAS）， 法国
- Université Catholique de Louvain, 比利时
- University of Twente, 荷兰
成员国:
- 比利时
- 芬兰
- 法国
- 德国
- 罗马尼亚
- 瑞典
- 荷兰
关于FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)
FD-SOI代表“全耗尽型绝缘层上硅”。这项技术可改进晶体管沟道的静电控制，提高晶体管性能和能效。准确地讲，Places2Be采用超薄体埋氧层(UTBB)FD-SOI，可动态调整晶体管性能，在晶体工作过程中选择低功耗或高速度。
关于ENIAC JU
欧洲纳电子计划顾问委员会(ENIAC)联盟(JU)是纳米工业上市公司与私营企业的联盟组织，成员来自ENIAC成员国、欧盟和欧洲纳米电子技术研究协会(AENEAS)。
该组织负责协调研发活动，通过项目竞标进一步提高芯片的小型化和集成度，从而提高芯片的功能性。将提供新材料、设备和工艺、新架构、创新的制程、全新的设计方法、新封装和系统化方法。在通信、计算机、交通、保健和健身、能源、环境管理、安保和娱乐应用领域推动高科技创新应用发展，同时高科技创新应用也为该组织发展提供动力。
ENIAC JU成立于2008年2月。2013年，该组织将全年分配研究资金。被选中的融资项目将于2017年12月31日终止。通过ENIAC JU产生的研发活动估计总值达到30亿欧元。
