中国，2013年5月23日 —— 19家欧洲知名半导体企业和学术机构宣布正式启动为期3年3.6亿欧元的Places2Be先进技术试制项目，支持全耗尽型绝缘层上硅（ FD-SOI ）技术的产业化。
横跨多重电子应用领域、的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）被指定为该项目的负责方。Places2Be（“Pilot Lines for Advanced CMOS Enhanced by SOI in 2x nodes, Built in Europe”）项目旨在于支持28纳米及以下技术节点的FD-SOI试制生产线的部署以及在欧洲实现规模生产的双货源。 Places2Be将有助于基于FD-SOI平台的欧洲微电子设计生态系统发展，同时探索此项技术向下一个目标（14/10纳米）发展的途径。
FD-SOI是下一代低功耗、高性能半导体制程，可取代标准的（“bulk”）硅和FinFET技术。首批FD-SOI系统级芯片预计将被用于消费电子、高性能计算机和网络设备。
项目预算近3.6亿欧元，来自7个国家的19个组织参与该项目，在三年项目执行期内，计划约500名工程师在欧洲参与项目研发活动，Places2Be是ENIAC联盟迄今的项目，投资方还包括项目成员国的国家机关。 Places2Be是ENIAC JU签定的关键使能技术（KET）试制项目之一，旨在于开发对社会影响巨大的技术和应用领域。
该项目的FD-SOI制造源位于欧洲两个的微电子集群地：试制生产线在意法半导体的Crolles制造厂（法国格靳诺布尔附近），双制造源在德累斯顿GlobalFoundries1号制造厂（德国）。
意法半导体研发合作计划总监兼项目协调人François Finck表示：“Places2Be项目将加强格勒诺布尔和德累斯顿两个微电子集群地的生态系统发展，除材料和IP投资产生的直接影响外，还会对欧洲整体产业链 –大中小企业、创业公司和研究机构产生积极的影响。”
