导读：多年来，在CoCom输出条款以及Wassennaar协定的限制下，中国大陆一直无法取得外来先进的高科技产品与技术，并因此发展受阻。同时，全球半导体产业在摩尔定律的指引下狂飙猛进，如今主流工艺已经进入28纳米，更先进工艺也不时有试产消息传出，然而中国大陆在22纳米技术开发道路上仍落于人后。
《孙子兵法·兵势》中说道“凡战者，以正合，以奇胜”，即一方面要有正面进攻，大兵团推进，另一方面要有出奇制胜的招数，守正出奇方能赢得战争。而近业界关注的中国科学院微电子研究所在22纳米技术研发取得重大进展的消息，是否意味着22纳米技术的“出奇”已到来?“22纳米先导研发技术突破是在某些关键技术如高K金属栅等相关技术的新材料、新结构上取得的，不是全套工艺，要进入量产还需要更大量的开发工作。”中国科学院微电子研究所所长叶甜春直言指出。
关键性技术取得突破
多年来，在CoCom输出条款以及Wassennaar协定的限制下，中国大陆一直无法取得外来先进的高科技产品与技术，并因此发展受阻。同时，全球半导体产业在摩尔定律的指引下狂飙猛进，如今主流工艺已经进入28纳米，更先进工艺也不时有试产消息传出，然而中国大陆在22纳米技术开发道路上仍落于人后。
“此次突破是中国科学院微电子研究所联合北京大学、清华大学、复旦大学的研发团队在制造企业支持下经过3年多的共同努力的阶段进展，此次22纳米研究突破的意义并不仅仅在于技术差距上的追赶，更重要的是我们在这种高度全球化的尖端技术上开始拥有自己的知识产权，对提升大陆IC产业的核心竞争力将发挥作用。” 叶甜春表示。
但业界也有质疑，中科院目前只有8英寸研发线，在8英寸线上做高端IC工艺没意义，现在已是12英寸晶圆时代，8英寸都改做模拟和混合电路了，而且开发22纳米工艺需要用浸没式曝光机。对此，叶甜春指出，以方法创新为主的先导研发不同于以生产技术开发为主的产业开发。先导研发在业内有个专有词“path finding”(路径寻找)，是指先期进行新材料、新结构、新工艺的探索和研究，寻找创新点，好比特种部队和侦察兵，穿插到敌后探路并占领一些关键据点，迎接大部队的到来。说8英寸设备不能研发出12英寸生产线用的技术，就好比说侦察兵没有飞机大炮不能打仗一样。实际上，先导研发和生产开发是有机结合的两个阶段，先导研发并不依赖生产设备，关键是研发目标和取向要处处考虑到生产的需求，进行到一定阶段就必须到12英寸生产线上去再开发。
这其中的关键就是知识产权。在专利之路上，研发团队也是“有的放矢”。据了解，22纳米和14纳米涉及的专利包括器件结构、高K金属栅(HKMG)、沟道应变工程等几个大项，而每一项又都包含若干项单元技术，涉及非常多的专利。叶甜春形象地将专利比喻成“必经之路上的卡子”，而专利费则是“买路钱”。他指出，如高K金属栅就包括先栅、后栅、新型MG、界面工程等，中科院微电子所的做法是在别人已有的专利基础上分析是否能绕道或设立新的道路目标，在专利布局时考虑专利组合，并且一定要成体系。比如在新型高应力金属栅CMOS集成方法上有10多个专利组合，利用了金属栅的特殊特性，在后栅集成中形成高应力结构，显着提高了器件驱动性能。这一方法已在一家制造企业12英寸线上得到初步验证，栅长26纳米的nMOS器件驱动电流提高了35%，达到业界先进水平。
目前，中科院微电子研究所、北京大学、清华大学、复旦大学等的开发团队已完成了1369项专利申请(国际专利申请424项)，其中高K/金属栅制程及相关专利、金属堆叠结构及其他专利已开始着手在中国大陆相关制造企业导入再开发。
