东芝公司声称，2款二合一MOSFET - SSM6L61NU和SSM6N61NU - 具有25mΩ RDS（ON）（典型值）的低漏源导通电阻，有助于降低电源的功率损耗，延长了电池驱动设备的操作时间。SSM6L61NU是一款互补型器件，SSM6N61NU是一款双N沟道器件。当用于具有USB Type-C接口的应用时，它们可以置于电源管理IC与SoC的Vout之间，或者电路的其他部分内。封装尺寸为2.0 x 2.0mm，提高了额定功耗，MOSFET的占位面积比采用PS-8封装的器件小50%。加之出色的散热性能，使得它们适于在包括智能手机和平板电脑在内的移动设备中充当电源管理开关和DC-DC转换器。还可用于电池管理应用和在具有USB Type-C接口的应用内实现负载切换。
