近日意法半导体(ST)已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI(fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI)技术，使得作为智能手机及平板电脑等移动产品心脏的SoC(systemonachip)，在推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择

SoC(systemonachip)是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是近意法半导体(ST)已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI(fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI)技术。

如果采用FDSOI技术，无需使晶体管立体化便可继续推进SoC微细化至10nm工艺左右。由于可以沿用原有半导体制造技术和设计技术，因此无需很多成本即可继续推进微细化(图1)。对于希望今后仍长期享受SoC微细化恩惠的设备厂商等来说，这将是很好的选择。

在成本和性能方面优于FinFET

FDSOI是用很薄的氧化膜(buriedoxide：BOX)将晶体管的管体(沟道)和Si基板隔开，将管体减薄至几nm厚，从而使沟道完全耗尽的技术(图2)注1)。这与沟道立体化以使其耗尽的三维晶体管(FinFET)一样，能够有效抑制随着栅极长度变短、漏电流增大的短沟道效应。

注1)沟道耗尽是指变成电子和空穴等载流子基本不存在的状态。

FinFET不具备而FDSOI具备的优点是能够跟原来的BulkCMOS技术一样保持平面晶体管的构造。FDSOI与FinFET相比，“制造工序减少，工艺成本大幅降低，还能直接沿用BulkCMOS的设计技术”(意法半导体设计与服务执行副总裁PhilippeMagarshack)。

制造FDSOI需要比Si基板贵的SOI基板，因此制造成本与BulkCMOS差不多。能使用原有设计技术是与需要大幅改变设计工具和电路布局的FinFET的区别。因为能减小电路设计方面的限制，集成度也容易提高。

图1：14nm工艺以后仍保持平面晶体管

意法半导体将采用FDSOI技术使平面构造的晶体管延续到10nm工艺。2014年将量产14nm工艺技术，2016年将量产10nm工艺技术。

图2：能够兼顾低成本和高性能