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2013LED技术大猜想:GaN-on-Si,nPSS 谁主沉浮?
半导体照明网    发表于   2013-02-05

2012年关于LED照明的各种挑战性的新技术不时浮现,2013年,哪些技术能真正进入舞台中央,决定着整个行业技术进步的节奏呢?

从衬底材料来说,硅衬底恐怕要从前几年理论上的威胁变成现实的挑战,东芝于2012年12月14日宣布,开发出了用于LED照明的白色GaN-on-Si(硅基氮化镓)LED芯片“TL1F1系列(1W)”,并将从12月下旬开始以1000万个/月的规模量产。起始量就是10KKPCS大功率,不出意外,2013年GaN-on-Si的LED的市场份额可能进入个位数百分比,几年之内更是可能到2位数百分比,与蓝宝石,SiC三分天下。

而图形化衬底技术在2012年成为各外延企业争相采用的技术,到2012年下半年,采用率超过了70%。但2013年nPSS可能会成为新的主流,nPSS采用纳米压印是接触方式,对纳米模板与衬底平行度有极其苛刻的要求,脱模、排气以及母版污染均会使得批量化非常困难,nPSS的品质稳定性受到纳米压印印模品质的影响很大,全球能实现量产的设备厂商非常少。2013年一旦这个瓶颈突破,nPSS的亮度更好,成本低,均匀度高的优势必然会受到外延厂商的青睐。

远程荧光粉2012年崭露头角,从某荧光粉大厂推出至今,已经有不少应用厂商开始采用这样的方案,其优势非常明显,LEDinside也看好这项技术可能的发展空间。如果这项技术能够更广泛采用,白光封装会不会因此变成多余环节,产业链又要重新划分?

 

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