在日前举行的“通用平台技术论坛”(Common Platform Technology Forum)上， IBM 公司与其技术联盟夥伴三星电子(Samsung Electronics)和Global Foundries共同探讨超越 FinFET 技术的半导体发展前景，看好可挠曲晶圆、CMOS持续微缩、双重曝光微影以及碳奈米管和矽光等下一代技术的进展。
IBM的科学家强调采用浸润式微影技术的双重曝光技巧。IBM公司并展示全耗尽型绝缘上覆矽(FD-SOI)的进展以及矽光子学计划、奈米线以及半导体发展蓝图上的其它进展。
“我们从45nm节点后就一直停滞不前，但透过 EUV 技术能协助我们回到向先进制程迈进的路径，”IBM半导体研究小组首席技术专家Gary Patton说，“ EUV 反映出微影技术发展史上的变异，因为 EUV 光源极具挑战性──它可能被反射透镜与光罩等任何材料所吸收，”他补充说。
尽管如此，“我认为 CMOS 将持续微缩，但这将需要采用像碳奈米管和矽光子学等具突破性的技术，”他说。
双重曝光
Patton指出，从20nm制程开始，晶片制造商必须采用极其先进复杂的双重曝光与浸润式微影。但IBM已经找到几种方法能够解决这一复杂性──透过标准的单元设计流程或为更多用户提供基于简单演算法的客制流程。
