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新技术大幅提高机械硬盘的存储密度
mydrivers    发表于   2013-03-04

西数旗下日立环球存储的研发实验室今天宣布,通过将自组装分子(self-assembling molecules)、纳米压印(nanoimprinting)两种技术的融合,他们成功创造了大面积的高密度存储介质,其中磁岛(magnetic islands)的宽度只有区区10nm(一百亿分之一米)。

这种宽度只相当于大约50个分子并排,或者人类头发丝的十万分之一,而且日立获得了大约10万个磁轨,已经能够满足生产硬盘的需要。

日立表示,他们获得的10nm晶格密度是现在硬盘技术的两倍,实验室测试也展现了出色的读写速度和数据保存能力。扩展到整个硬盘之后,纳米压印技术有望得到超过一万亿个磁岛。

日立宣称,这一成就将对纳米级制造产生深远的影响,可以大大降低晶格介质(bit-patterned media)的成本,从而在未来数年内大幅度提高机械硬盘的存储密度。

下图就是日立通过纳米技术得到的高密度磁岛,其中每个白点都能存储一个比特(bit)的信息,而每平方英寸内有1.2万亿个白点,相当于几乎1120Gb,而现在单碟1TB硬盘的存储密度也才每平方英寸625Gb。如此一来,单碟2TB将不再是梦。

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