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紧追赛灵思16nm量产进度 Altera明年投产14nm
新电子    发表于   2013-06-13

Altera的14奈米(nm)三闸极电晶体(Tri-gate Transistor)制程可望于明年启动量产。面对赛灵思(Xilinx)即将于2014年采用台积电16奈米鳍式场效电晶体(FinFET)制程,生产首批现场系统单晶片可编程闸阵列(SoC FPGA),Altera亦不干示弱,于日前宣布将于2013年底前提供14奈米的SoC FPGA测试晶片,预计于2014年正式投产14奈米SoC FPGA。

Altera资深产品行销总监Patrick Dorsey表示,Altera正借助更先进奈米制程和高性能架构开发更高性能和更低功耗的高阶SoC FPGA。

Altera资深产品行销总监Patrick Dorsey表示,为开发出更高效能与更低耗电量的高阶SoC FPGA,Altera与赛灵思无不分别加快14奈米和16奈米制程的量产脚步,也因此,从赛灵思预定16奈米制程的投产时间观之,将与Altera的14奈米制程量产时间相去不远。

日前,Altera已发布将采用英特尔(Intel)14奈米制程生产第十代高阶SoC FPGA产品系列Stratix,并预计将于2014年提供Quartus Ⅱ软体支援。Dorsey指出,该公司挟14奈米制程,可开发出更高整合度的高阶SoC FPGA,其可于单颗晶片整合超过四百万个逻辑单元,密度提高多达四倍。

Altera除采用14奈米制程之外,亦透过产品架构设计增强旗下高阶SoC FPGA的性能。据悉,从0.13微米制程至28奈米制程,Altera每一代FPGA产品效能提高20%;相比之下,该公司基于14奈米开发的第十代高阶SoC FPGA,再搭配独有的增强高性能架构,效能可大幅攀升达两倍之多,且功耗下降70%

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