采用DDR接口+东芝推24nm工艺eMMC闪存芯片

日本东芝公司正大推出了新系列24nmeMMC闪存芯片。新的NAND闪存芯片主要面向的是嵌入式应用，由于使用了双数据接口，因此将可以带来更加出色的随机存取和连续数据存取性能。由于使用的是全新的24nm工艺，因此新芯片体积将变得更小，同时价格也得到了明显下降。

东芝eMMC NAND闪存芯片采用的是toggle-mode DDR接口，主要面向的是嵌入式产品，容量从2G至128G不等，并且完全符合JEDEC e-MMC 4.41标准。东芝全新系列24nm e-MMC产品可将128G NAND闪存和e-MMC共同封装，同时东芝公司也成为了目前家成功将16片64Gbit核心封装于同一个e-MMC ，达到128G容量。同时通过先进的工艺以及布线技术使得芯片的厚度只有30微米。

东芝24nm e-MMC工艺将可以带来更低的成本，更高的存储容量，更高的性能以及更小的封装尺寸，所有这些使得该芯片能够更好得满足当前智能手机，平板电脑以及电子阅读器、数码摄像头、打印机、服务器以及POS等产品的需求。

东芝通讯内存产品部业务拓展经理Scott Beekman表示：“使用了我们的toggle-mode DDR NAND，是使得我们的eMMC产品获得更高性能，变得更小以及封装变得更薄的关键所在。比如我们的128GB e-MMC产品可以使用14x18封装，这将获得很多应用的支持。”

目前东芝公司已经成功出样8GB, 16GB, 32GB以及64GB 24nm e-MMC芯片，量产预计将会从3季度开始。