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半导体工艺录:摩尔定律催生芯片革命
华强电子网    发表于   2012-04-13

4月13日 1968年Intel工程师戈登·摩尔根据芯片发展趋势做出了一个晶体管发展报告:集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔18个月便会增加一倍,性能也将提升一倍

时至今日Intel已经推出了的22nm 3D晶体管架构,工艺和性能都得到了革命性的提升,来自Intel马博的报告,从1978年到2008年,1微米能够容纳的晶体管数量已经达到了10个。

虽然晶体管工艺得到了巨大提升,但随着nm级的深入,缩微技术将出现一定的瓶颈,为此传统的尺寸缩小将面临巨大挑战,而在这一时期Intel已经着手起草了3D晶体管架构的开发,在去年的5月份Intel正式宣布掌握该项技术。

在2001年,晶体管还停留在130nm,2011年的3D晶体管架构引爆了22nm,持续的发展来自于材料和结构的不断创新。

而在2010年3月随着苹果iPad的发布,移动计算时代便宣布来临,传统的性能等需求已经无法满足SoC设计的需求,而单芯片设计也是越来越小、越来越轻薄的移动计算设备的需求。传统的CPU、GPU、I/O、内存、加速器、WiFi、蓝牙、3G模块将完全整合在一颗芯片内,实现高度的融合和移动计算需求。

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