传台积明年Q1建10纳米试产线誓要甩开英特尔

OFweek 电子工程网讯：业界传出，台积电除加速南科厂16纳米产能布建，也决定在明年第1季于中科建置10纳米试产线，透露台积电将以中科作为10纳米生产重镇，并加快试产脚步，拉开与英特尔、三星等劲敌的差距。

台积电并未对相关传闻置评。设备商透露，受制于设备大厂艾斯摩尔(ASML)极紫外光(EUV)技术输出率仍未达量产需求，台积电10纳米仍会以浸润式机台进行多重曝光方式，作为显影核心设备，并集中于12寸晶圆厂生产。

10纳米制程被台积电视为“关键的一役”，台积电董事长张忠谋稍早透露，台积电短期恐在16纳米市占略为落后输竞争对手，不过，台积电有信心很快抢回市占率，并积极导入10纳米等更先进的制程，预定明年下半年完成产品设计定案。

张忠谋当时说，台积电2013年开始进行10纳米技术开发，10纳米技术将是继16纳米FinFET(鳍式场效晶体管 )及强效版制程16 FinFET+之后的第三代FinFET制程，效能与密度将是业界。

台积电对内宣示，10纳米是“非赢不可的一战”，一定要做到比英特尔好，因此由张忠谋亲自督军，并号名近400 位研发人员成立“夜鹰计划”，让10纳米研发无缝接轨、缩短学习曲线。

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