大力发展功率及光学元件成东芝分立器件战略重点

作者：根津祯

东芝2014年近日公布了该公司的分立器件业务战略。对于该业务，东芝今后将进一步大力发展功率元件、光学元件及小信号元件。

功率元件方面，东芝将面向市场有望扩大的中国工业领域及表现出色的日本车载厂商，强化MOSFET的性能及供应能力。例如，将在集团旗下的加贺东芝电子增强200mm口径用前工序生产线的产能。另外，车载用途方面，东芝的新一代产品已获得订单。

关于新一代材料，东芝打算在高耐压与高频用途使用SiC，在频率要求更高的用途使用GaN。该公司计划横向推广在制造白色LED用蓝色LED芯片时培育的、在硅基板上层叠GaN类半导体的“GaNonSi”技术，用来制造GaN功率元件。

此外，光学器件及小信号器件方面，因2013年以来一直需求坚挺，包括负责后工序的东芝半导体泰国公司（TST）在内，各基地均处于全负荷开工状态。东芝打算提高TST的生产效率，同时还将扩充产品线。另外，据东芝介绍，在作为光学器件之一的光耦合器领域，该公司已连续四年保持份额。

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