802.11 ac Wave 2(802.11ac 2.0)市场将蓬勃发展。802.11ac是2014年引领Wi-Fi市场成长的主要动力，而甫于日前发布的802.11 ac 2.0标准，则可望延续这股气势接棒成长，商机备受期待，包括高通创锐讯(Qualcomm Atheros)、博通(Broadcom)、迈威尔(Marvell)等Wi-Fi晶片和射频前端元件开发商，皆已投入相关产品研发。
拓墣产业研究所资深经理谢雨珊表示，802.11ac受到高阶智慧型手机带动下，市场与生态系统逐渐开展，加上晶片成本持续降低，带动802.11ac晶片出货表现，可以发现802.11ac已取代802.11n，成为2014年Wi-Fi模组市场增长的主要动力。
迈威尔(Marvell)物联网产品事业部连接解决方案资深行销总监Kevin Tang指出，苹果(Apple)款智慧型手机--iPhone 6也采用802.11ac晶片组后，将进一步带动802.11ac的气势。目前802.11ac已从手机渗透至平板与笔电，未来也将向下渗透至中低阶种手 机。继802.11ac之后，近来802.11ac Wave 2标准的问世，也将刺激企业端用户在闸道器(Gateway)与路由器(Router)出现部分换机潮，而随着智慧型手机功能的强化，在用户端 (Client)装置对802.11ac Wave 2需求也会持续成长。
Tang表示，迈威尔看好802.11ac 2.0未来的成长动能，已着手展开产品开发，惟产品细节目前尚未能公布。除了迈威尔之外，其他的Wi-Fi晶片商如高通创锐讯(Qualcomm Atheros)、博通(Broadcom)，以及Wi-Fi射频前端元件厂商，亦已加速布局802.11ac 2.0产品。
RFaxis行销与应用工程副总裁钱永喜分析，由于802.11ac 2.0采用了多用户多重输入多重输出(MU-MIMO)技术，因此相较于802.11ac标准，射频前端元件对于线性度(Linearity)的要求会更 严格；举例来说，802.11ac对射频前端元件的误差向量幅度(EVM)约为-38dB，而进阶到802.11ac 2.0之时，EVM标准将上修至-40dB，虽然数字差距看来极为微小，然而这对于射频元件厂商来说无疑是一项挑战。
钱永喜表示，目前 RFaxis用互补式金属氧化物半导体(CMOS)开发的802.11ac射频前端晶片(RFeIC)，已独步业界成功将功率放大器(PA)、低杂讯放大 器(LNA)、开关(Switch)、滤波器(Filter)、功率检测等元件整合在单晶片/单裸晶(Single Chip/Single Die)上，且EVM值达到-43～-44dB，在某些关键参数上亦已超越传统砷化镓(GaAs)制程元件，因而已成为一线Wi-Fi晶片商在开发 802.11ac 2.0时的。
高通创锐讯资深工程经理杨荣亮则表示，MU-MIMO是Wave 2推出的主要功能，而该标准其他特色还包括波束成形、多重串流传输及256QAM调变等，这对于发射器(Tx)的传真度(Fidelity)及接收器 (Rx)的敏感度都有很高的要求，因此所有元件都必须进行精细的分析与校正。目前高通创锐讯的参考设计能提供完整的11ac 2.0系统软硬体解决方案，并已针对效能进行调校及化。OEM/ODM业者可采用此参考设计进而缩短产品上市时间，开发出高效能的802.11ac 2.0产品。
