宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 12 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件---SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay Siliconix SiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢复电荷和导通电阻，能够在工业、电信、计算和可再生能源应用中提高可靠性，节约能源。
今天推出的600V快速体二极管MOSFET采用第二代超级结技术制造，很好地补充了Vishay现有的标准E系列元器件，扩充类似相移桥和LLC转换器半桥等可用于零电压开关(ZVS)/软开关拓扑的产品。
SiHx28N60EF和SiHx33N60EF的反向恢复电荷(Qrr)比标准MOSFET低10倍以上，可在这些应用中提高可靠性。低反向恢复电荷使器件能够更快地再次隔离完全击穿电压，有助于避免因击穿和热过应力而失效。另外，减小Qrr使器件的反向恢复损耗低于标准的MOSFET。
28A SiHx28N60EF和33A SiHx33N60EF有4种封装，分别具有123Ω和98Ω的超低导通电阻及栅极电荷，能够在太阳能逆变器、服务器和通信电源系统、ATX/银盒PC开关电源、焊接设备、UPS、电池充电器、半导体生产设备，以及LED和HID照明等高功率、高性能的开关电源应用里实现极低的传导损耗和开关损耗，从而节约能源。
这些器件可承受雪崩和整流模式里的高能脉冲，保证极限值100%通过UIS测试。MEOSFET符合RoHS，无卤素。
