器件爬电距离10mm，具有1MBd和10MBd的速率。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 9 月18 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列具有1MBd和10MBd数据速率的高速器件---VOW135、VOW136、VOW137和VOW2611，扩充其高隔离电压光耦的VOW Widebody家族。这些器件是为在高压新能源和工业应用里提高可靠性而设计的，VIOTM为8000V，VIORM为1414V，外部爬电距离大于10mm。
今天推出的Vishay Semiconductors VOW Widebody光耦由一个GaAIAs红外发光二极管组成，二极管与集成的光探测器形成光学耦合。高安全隔离电压提高了产品的耐用度，除此以外，这些器件内部采用了Faraday屏蔽，在输入和输出之间具有高功率开关应用所必需的非常高的噪声隔离能力。
VOW135、VOW136、VOW137和VOW2611是为在太阳能逆变器等新能源，运动和电机控制以及焊接设备等工业应用里隔离低压和高压电路而设计的。采用VOW Widebody器件，就不需要昂贵的带保形镀膜的方案，让设计者能够以低成本和小尺寸来满足国内外安全法规的要求。
VOW135和VOW136可抵御1000V/μs的共模瞬态，1MBd数据速率下高电平和低电平传播延迟小于2μs。VOW137和VOW2611的数据速率为10 MBd，可抵御40000V/μs的共模瞬态，同时将高电平和低电平传播延迟保持在100 ns以下，高脉冲宽度畸变小于40ns。
VOW Widebody光耦采用爬电距离大于10mm的DIP-8 400mil Widebody通孔封装和表面贴装的弯引脚封装。器件符合RoHS指令2011/65/EU及Vishay的绿色标准，满足UL、cUL、VDE和CQC 5000 m强化绝缘的要求。
