晶圆代工龙头台积电全力冲刺16 nm鳍式场效电晶体（FinFET）制程，9月25日宣布与海思半导体（HiSilicon）合作，成功率先产出业界首颗以FinFET制程及ARM架构为基础且功能完备的网通处理器。业者分析，台积电16 nm FinFET制程投产成功，可望提前一季度时间，在今年第4季进入量产阶段。
同时根据设备业者消息，台积电16 nm FinFET Plus制程也进入试投片（try run）先前作业阶段，可望提前至第4季试产，主要客户除了绘图晶片厂辉达（NVIDIA）、可程式逻辑闸极列（FPGA）厂赛灵思（Xilinx）、手机晶片厂高通外，众所瞩目的苹果新款应用处理器也将试投片清单中。
台积电昨日宣布与海思半导体合作，成功产出业界首颗以FinFET制程及ARM架构为基础之功能完备的通信处理器，该晶片是以ARMv8架构为基础的32核心ARM Cortex-A57通信处理器，运算速度可达2.6 GHz。台积电的16 nm FinFET制程能够显着改善速度与功率，并且降低漏电流，有效克服先进系统单晶片技术微缩时所产生的关键障碍。
相较于台积电的28 nm高效能行动运算（28HPM）制程，16 nm FinFET制程的晶片闸密度增加两倍，在相同功耗下速度增快逾40％，或在相同速度下功耗降低逾60％。
台积电的16 nm FinFET制程早于去年11月即完成所有可靠性验证，良率表现优异，如今进入试产阶段，为台积电与客户的产品设计定案、试产活动与初期送样打下良好基础。
藉由台积电的16 nm FinFET制程，海思得以生产具显着效能与功耗优势的全新处理器，以支援高阶网通应用产品。
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