近期看到FPGA大厂陆续推出3D系统晶片，令人想起几前年 半导体 产业开始积极推展的3D晶片，似乎经过几年的酝酿，目前开始看到该技术的开花结果。 只不过，Altera台湾区总经理陈英仁指出，这些其实都是属于2.5D的制程，不是真正3D的技术范畴。 3D制程的技术含量更深，目前仍是个很大的挑战。
| 附图: 3D晶片要真正商用化，现在仍太早。 |
陈英仁说，目前FPGA大厂所标榜的3D晶片，其实都只是2.5D制程技术，并非真正的3D晶片。 目前2.5D技术逐渐成熟，产品也陆续推出市场。 然而，从2.5D到3D，这看似短短一步可及的距离，事实上其技术难度却有如天与地一般遥远。
2.5D晶片的采用，其实正是3D真正商用化之前的一种替代方案。 2.5D晶片其实就是将主动元件放在被动的矽中介层上。 矽中介层能平行连接数个矽切片，透过和PCB上不同的IC金属互连方式，这些矽片能经由该中介层的金属互连来连接。
3D晶片经过几年的发展，尽管已经克服许多困难，但3D晶片要真正商用化，坦白说现在仍太早。 3D晶片等同于整体晶片设计的革命性突破，这包括从基础IC设计、晶片封装到散热机构等细节。
3D晶片的挑战，先面临的就是晶片的连接方式。 目前可行的TSV，是在数个垂直堆叠的晶片上穿孔来连接晶片，但技术尚未成熟，成本也高，良率相对偏低。 其次是散热。 当多个主动式晶片堆叠在一起时，每个晶片运作所散发的热要如何排出就是个大问题。 特别是当晶片堆叠在一起时，中间部份几乎无法散热。 曾有工程师提出3D晶片中，透过风孔排热的构想，但难以实现。 散热问题不解决，3D晶片便很难跨出下一步。
此外，TSV的穿孔，也会在晶片发热时产生大问题。 晶片遇热膨胀后，应力会影响周边的电晶体性能，这是TSV发展过程中难解决的部分。 专家认为，3D晶片要走到成熟的阶段，估计还要至少3年以上。 看来，这短短0.5D的路，半导体产业还得走上很久。
