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SEMICON+West+2011上关键新微电子制造技术面临的挑战
SEMI    发表于   2011-06-28

关键新微电子制造技术(包括垂直晶体管(FinFET元件)、3D-IC、450毫米和EUV)的融合致力于推动持续削减超越20纳米节点的成本,并增加 其性能需求——但是技术和商业挑战以及潜在的障碍仍然存在。全球微电子供应链如何共同合作应对这些挑战将有可能决定该行业在未来十年内的盈利和增长。 SEMICON West 2011将于下个月(7月12-14日)在旧金山举办,届时两个高管级别的论坛将解决关于关键新技术的开发和采用,以及将这些技术从实验室推向工厂所面临 的商业挑战方面的问题。

7月13日举办的SEMICON West高层管理峰会将会集行业四大高管共同讨论未来十年内设备和材料行业所面临的关键趋势和问题,包括市场驱动力、政治和经济大趋势的影响以及公共政策 等。首脑会议成员包括杜邦电子与通讯技术集团总裁大卫•米勒(David Miller);先进科材主席、首席执行官兼总裁Doug Neugold;Lam Research半导体设备技术公司首席执行官兼副主席Stephen G. Newberry;以及KLA-Tencor总裁兼首席执行官Richard Wallace。执行首脑会议于7月13日(星期三)下午1:30-3:00在Esplanade大厅主题厅的Moscone中心举行。

半导体行业看来似乎要越过讨论阶段,进入为450毫米晶圆进行认证规划的阶段。在7月14日举办的SEMICON West上,450毫米过渡论坛将对可能使450毫米晶圆加工得到更充分实施的研发举措进行审核,并为设备制造商及其供应商介绍普遍存在的挑战状况。论坛 成员包括来自芯片制造技术联盟之GLOBALFOUNDRIES的副总裁David Bennett;Gartner的研究副总裁Bob Johnson;IMEC晶圆和工艺步骤研发制造技术部副总裁Hans Lebon;KLA-Tencor首席营销官Brian Trafas;以及LamResearch半导体设备技术公司新产品开发部副总裁David Hemker。450毫米过渡论坛于7月14日(星期四)上午10:30-12:30在NorthOneTechXPOT北厅的Moscone中心举行。


标签: 芯片制造技术 微电子 半导体 小批量芯片 Digikey代购

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