英特尔有望明年实现22nm工艺SoCs芯片

近日消息，据路透社报道， 英特尔重申，明年有望实现22nm工艺SoCs芯片，因为该公司正在试图缩小他和ARM、高通和NVIDIA等竞争对手之间的差距。 “英特尔的22nm工艺SoC芯片，将于2013年开始准备大批量制造”本周英特尔公司在旧金山表示。但是目前该公司是尚未给即将开始的生产计划列出一个更具体的时间表。

虽然英特尔已经拥有22nm制作SoCs芯片技术，但是目前又碰到了一个问题，SoC芯片技术不仅适合于处理器，也同时适合于其他部件例如内存，收音机，数模转换器 (DAC)等以及其他一些紧凑的模块中。

为了帮助它实现这一目标，英特尔计划使用的3D三栅极工艺的Ivy Bridge处理器，以获得更好的效果。英特尔将使用特殊的堆叠架构，在三栅极导电通道三面添加“垂直尾翼结构”，终的结果是排除多余的热量，通过高的组合的栅绝缘体和应变硅，为移动设备提供更长的电池寿命和更好的性能。