罗姆开发出采用了配备体二极管的SiC制MOSFET功率模块。该MOSFET具有不需要外置二极管的优点。目前该模块已开始样品供货，将从2012年12月开始量产。额定电压为1200V，额定电流为180A。
此次，罗姆通过解明向体二极管通电会导致缺陷扩大的原理，并采取措施抑制这种现象发生，使得体二极管得以实用。据该公司介绍，新模块即使通 电1000小时以上，导通电阻也不会增大。而普通体二极管产品通电超过20小时，导通电阻就会大幅增加。
罗姆推出全新SiC制MOSFET功率模块
日经在线
发表于
2012-12-18
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