据国外媒体报道，IBM、ARM同一批半导体生产商正在进行一项关于小功率SOI芯片组的研究计划，打算将采用体硅制成的CMOS设计转换成全耗尽型FD-SOI装配。
由于受超薄氧化物层覆盖，采用该种芯片的设备将提供更好的性能以及更低的能耗。参与此次合作研究的公式有ARM、法国半导体厂商Leti、比利时鲁汶大学(the Université Catholique de Louvain) 、IBM、Globalfoundries、 法国Soitec。
SOI工业协会组织的执行总裁Horacio Mendez表示： “这项工作表明表明电路板的制成技术由体硅转向FD-SDI可以直接进行，这仅取决于特定芯片制造商所使用的FD-SDI技术。这项设计能缩短基于FD-SOI设备的面世时间，同时将带来更优化的ICs以及更快的实时速度。”
研究中bulk-to-fd-soi网络芯片设计的移植，将在现有的平面设计中进行小的调整，尤其是可行的标准单元库、内存编译器和输入输出操作系统，以获得模拟和混合信号设计。
FD-SOI一项设计特点是其潜在性能，在运行全IP内核或者整组芯片时电压的供给可以非常低，大概在0.5-0.6V之间。
目前，该小组正在为全芯片设计接口的两线路进行检测。
