【导读】富士通推出的新型FRAM产品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT产品，与容量相同的EEPROM相比，写入时可减少92%的功耗，且由于新款FRAM可以把所有系统存储器器件所需的技术集成到单一芯片上，因此可大幅降低器件成本，占板面积和功耗。这相应地极大地有助于开发小型和节能设备，使维修更加简易，不再需要备用电池，适用于智能电表、工业设备和医疗器械。
富士通半导体（上海）有限公司昨日宣布，推出两款新型FRAM产品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，两款产品分别带有1 Mbit 和 2 Mbit的存储器，是富士通半导体提供的容量的串口FRAM。
两款新型产品保证有10万亿次的读写次数，大约是现有芯片的10倍，适合用于智能电表、工业机械和医疗设备。与容量相同的EEPROM相比，写入时可减少92%的功耗。另外，由于新款FRAM可以把所有系统存储器器件（主要包括EEPROM、SRAM和用于保持数据的电池）所需的技术集成到单一芯片上，因此可大幅降低器件成本，占板面积和功耗。这相应地极大地有助于开发小型和节能设备，使维修更加简易，因此不再需要备用电池。
FRAM具有两种特性：非易失性，即使关闭电源也能保存数据；随机存取，可以快速写入数据。即使发生突然电源故障和停电时，FRAM也可以安全存储正在写入的数据，所以可以在断电前保证立刻保护芯片信息和存储数据。凭借该能力，自从1999年量产后，富士通半导体的FRAM产品一直广泛应用于工业自动化设备、测量设备、银行终端以及医疗设备等。
作为对其FRAM 产品阵容的更新，富士通半导体近开发了MB85RS1MT (1 Mbit) 和 MB85RS2MT (2 Mbit)，这两款产品代表了公司迄今为止带有SPI 串口的密度的FRAM产品。该系列产品读写次数提高到10万亿次，是富士通现行FRAM产品的10倍，因此可为实时连续数据记录提供更好的支持。
