电路包括两个部分：一个 DC/DC 转换器 ，还有一个双刀双掷(DPDT)开关。DPDT开关包括一对双N沟道MOSFET(Q2和Q3)，以及它们相应的高侧驱动器。

在上电时， I C 2中的 比较器 检测电路的状态。IC 2比较器的输出(第6脚)接到MOSFET驱动器IC1的输入端。驱动器内部生成一个比器件供电电压高8.8V的栅极驱动电压。这个大电压驱动Q 2和Q 3中的相应MOSFET。

图1，当从5V元件转用3.3V元件时，用图中这种双输出 稳压器 可设计出能使用3.3V和5V器件的表面安装PC板。此外，这款新颖的 稳压 器还能同时接受3.3V或5V的输入电源。

IC2亦是一个飞电容降压/升压DC/DC转换器的核心。与其它开关稳压方案不同，这种结构不需要变压器。晶体管Q1控制着这个部分的 输出电压 VS。当VIN为5V时，Q1关断，使该部分工作为一个步进降压转换器。在此模式下，这个部分产生3.3V，通过Q3B而输出。另外在此模式下，5V电源直接通过Q2A，而Q2B和Q3A均关断。（拓展阅读： 电子IC采购网 ）

当VIN为3.3V时，IC1使Q1导通，将140kΩ电阻短路，并使DC/DC转换器部分进入步进升压模式。在此模式下，转换器部分在VS上产生5V，通过Q2B提供5V输出。另外在此模式下，3.3V通过Q3A直接从电路的输入到输出。Q2A和Q3B均关断。

无负载下的静态耗电大约为500μA。低频转换器可降低功耗，代价是要用较大的电感。两种模式下，DC/DC转换器部分的效率均为73%。但由于这一功率只是电路 输出功率 的一半，因此电路的总效率在VIN=3 . 3 V 时约为8 0%， V IN=5 V 时为86%。