台积电(2330)今(16日)召开法说会,并由新任共同执行长暨总经理刘德音(见附图)担纲台积在16奈米之后先进制程计划的主讲人。刘德音表示,台积的16奈米FinFET制程已于去年11月正式开始risk-production(风险生产),且目前已取得超过20个设计定案(tape-out),并将于2015年量产。而他也表示,台积现在16奈米制程与竞争对手的态势是「三星,且仅落后英特尔一点点」(ahead of Samsung, very close to Intel)。刘德音表示,台积因16/20奈米有90%的机台设备都可相容,因此在学习曲线上也更为理想,甚至目前16奈米FinFET制程的良率改善飞快,已经接近20奈米制程的良率。此外,台积于16奈米也已取得超过20个设计定案,且产品范围囊括基频、AP应用处理器、网通、绘图晶片、CPU、伺服器等。台积也预定16奈米制程量产的时间点,将落在20奈米之后一年的2015年,这个速度可望较三星更快。而刘德音也特别指出,台积多数时候虽不评论对手,不过台积16奈米制程量产的时程虽略缓于英特尔,惟台积的16奈米制程相较于20奈米可望再达成15%的晶片面积微缩效果,加上考虑到拥有大同盟夥伴(Grand Alliance)的相挺,拥有丰富的IP优势,且不与客户竞争,因此虽然台积16奈米FinFET制程相较于英特尔的14奈米制程,进展「看起来有点落后」,不过台积对于其16奈米制程在行动通讯领域的竞争力,仍相当有信心。
刘德音也直言,台积确实看到EUV(极紫外光)于成本上的优势,快可能会在10奈米制程起用。惟因成本问题,台积目前在建造18寸超大晶圆厂上还没有时间表。