该测试芯片基于ARM Cortex-A9双核处理器设计，采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺。处理器包括一个32KB I-cache和32KB D-cache以及其他所需之存储器模块、ARM NEON(TM)、调试和追踪的ARM CoreSight等等，另外还透过AMBA AXI总线集成了内建SRAM与DMA、NOR flash、SDRAM、VGA等等介面。除了高速标准单元库以外，该测试芯片还采用了中芯国际高速定制存储器和单元库(SMIC Performance Enhancement Kit)以提高性能。
中芯国际首席商务长季克非表示："灿芯半导体在短短几个月内，就能达成此预定目标，证明了灿芯半导体在技术上与国际先进水平相当，同时也证明了中芯国际工艺的稳定度和市场领导地位。我们三方共同合作提供的40LL综合平台，不仅能缩短客户产品的上市周期，而且可以减低客户在先进技术设计上开发的风险。今天，这个里程碑式的合作再次证明了我们竭诚为客户提供行业技术的决心。 中芯国际将继续加强先进工艺技术的开发，为高性能的消费类电子产品提供极具竞争力的解决方案。"
灿芯半导体总裁兼首席执行官职春星博士指出："ARM Cortex-A9双核测试芯片的实测结果达到了我们的预期目标，这证明灿芯半导体在技术上完全有实力达到目前业界需求。此外，我们很快将在同一工艺上开始下一颗A9测试芯片的流片，而这颗芯片将达到更高的性能。灿芯半导体致力于为客户提供先进的平台和解决方案，我们也一直在朝这个目标努力，相信在中芯国际、ARM以及其他合作伙伴的支持下，必将实现我们的目标，为客户带来巨大价值！" （相关阅读： Digikey代购 ）
ARM中国区总裁吴雄昂说："来自灿芯半导体、中芯国际和ARM持续不断的紧密合作所达成的里程碑是产业绝佳范例，展示出我们如何共同合作推陈出新，推动下一代智能连网设备的核心技术！ARM相当重视与灿芯半导体及中芯国际的合作关系，并承诺将通过基于ARM架构的技术，为我们共同的客户提供先进的设计与生产平台，进而符合他们在功耗、性能与上市周期的需求。"
