虽然搭载骁龙820的手机还都没有正式发布上市，但高通下一代旗舰骁龙830（代号MSM8998）的小道消息已经出来了。这颗SoC将由三星下一代的10nm制程打造，在提升性能的同时可以减少功耗，而且骁龙830将可能支持8GB的内存。
其中从骁龙820的双通道LPDDR4 1866MHz内存推断，骁龙830很可能会采用一样的双通道配置，但容量将直接翻倍。此外三星在9月宣布已经开始量产基于20nm制程的 12Gb（1Byte=8bit，即折合1.5GB）LPDDR4内存芯片，为手机配6GB内存铺平了道路。那么在下一年10nm制程到来的时候，三星很 可能就能够量产16Gb内存芯片，那么骁龙830就非常有可能在2017年吃上8GB的内存。
骁龙830或支持8GB内存
相关阅读
· AN-DM34 耗尽型MOSFET在工业传感器... 2020-12-18
· 碳化硅器件在车载充电机OBC上的应... 2020-12-16
· SiC器件助力电动汽车充电模块... 2020-12-16
· 5G应用的可回扫ESD 2020-11-26
· 用开关稳压器为高速ADC供电可节约... 2020-11-26
· 基于高速转换芯片和FPGA的采集系统... 2020-11-26
· 如何有效地进行小批量电子元器件... 2020-04-07
· 液位传感器的重要性 2019-12-13
· 变压器压力释放保护动作的现象及处... 2019-12-13
· 变压器后备保护动作故障现象及处理... 2019-12-13
· 启动电阻一般在什么位置... 2019-12-13
· PN和PNP型传感器接线及三线制和两... 2019-12-12
· 合金电阻怎么识别 2019-12-12
· 组合开关构造及选用 2019-12-11
· 万能转换开关的应用场合... 2019-12-11
· 万能转换开关的型号含义... 2019-12-11
· 万能转换开关选型及使用... 2019-12-11
