相变内存（Phase Change Memory，PCM）是诸多号称能「改变未来」的新内存技术之一，拥有接近 DRAM 的速度、远超过快闪内存的使用寿命，以及不供电也能保存资料的特性。在某些方面来说，它和忆阻体有点像，都是利用物质的电阻高低值来存储信息，只是真正的忆阻体是用电压来控制物质的电阻，而相变内存用的却是温度。相变内存使用的物质一般是一种或多种硫族化物的玻璃（Chalcogenide Glass），它们在加热冷却后，可以形成高电阻的晶体，或是低电阻的非晶体状态，或是两种状态间的任意比例组合。
过去 IBM 已经成功地实作出一个晶体单位存储一个位元（两种状态择一）的相变化内存样本，这次的突破主要是在于对晶体状态更细致的辨识能力，让每个晶体单位可以可靠地量测出八种不同的状态，记录三位元的信息。三位元是个重要的里程碑，因为如此一来它在成本上就明显对 DRAM 有优势，甚至逼近了快闪内存。只是像所有这类的研究一般，每次都只闻楼梯响，究竟要什么时候才能看到产品面世呢？
