联电 (2303-TW)(UMC-US)今(19)日宣布，已顺利验证晶圆专工业界个结合12V解决方案的高压嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程。联电指出，此制程可将中大尺寸之 触控IC 所需的驱动高压，以及存放演算法所需的eFlash，结合于同一颗高整合度的单晶片中，并且有效地改善信噪比(SNR )。
与业界所提供的其他高压选项(例如18V、24V或32V)相比，联电表示，此12V解决方案在信噪比与耗电之间，提供了不错的平衡。
联电特殊技术开发处资深处长陈立哲表示，联电建构了完整的技术平台，该平台包含了尖端技术与客户导向的特殊技术，并能充分满足客户广泛应用产品的需求。而联电作为家推出整合eFlash制程的12V至铝制程A+平台之晶圆专工公司，也让其有能力掌握中大尺寸触控面板快速成长的市场契机。
联电强调，公司现有0.18微米与0.11微米eFlash产品的成功经验，可说为此12V eFlash平台的顺利推出，打下了稳固的基础，并可借此协助客户在蓬勃发展的触控晶片市场中，加速产品上市时程，同时差异化其产品定位。而联电现已大量出货eFlash晶圆，数家晶片设计公司也已经在其触控萤幕产品上，采用并且验证了联电的12V eFlash解决方案。
