【导读】ADS 2012 具备新的功能，提供多个用户界面增强特性，旨在改善工程师的设计效率。提升了所支持应用的设计效率，并为 GaAs、GaN 和硅基材料射频功率放大器多芯片模块设计提供突破性技术。
安捷伦科技公司日前宣布推出先进设计系统（ADS）射频和微波 EDA 平台的全新主要版本 ADS 2012。 ADS 2012 具备新的功能，提升了所支持应用的设计效率，并为 GaAs、GaN 和硅基材料射频功率放大器多芯片模块设计提供突破性技术。
大大地提高了设计效率
ADS 2012 提供多个用户界面增强特性，旨在改善工程师的设计效率。可驻留窗口支持用户快速访问常用的对话框，例如元器件信息和版图层可视化窗口。新增的元器件搜索和网络节点浏览功能可让用户轻松地完成大型设计。新的工程归档/解档实用程序可使设计和工程项目共享变得更简单。
更新了两个重要的ADS射频设计指南。ADS 负载牵引设计指南现在包括失配仿真，给出器件或放大器对负载电压驻波比或相位角的灵敏度。放大器设计指南增添了多项更新，可轻松查看在指定输出功率或增益压缩上的放大器性能。
较于先前的突破进展
ADS 2012 在射频功率放大器设计上的其它突破性进展包括：
• 通过与 EMPro 整合，可将三维电磁场元器件另存为可以在ADS中直接使用的数据库单元。
• 全新的集成在 ADS设计环境中的电热仿真器以全三维热求解为基础，结合了动态温度效应，提高了“热感知”电路仿真结果的精度。
• 多芯片模块的电磁场仿真设置及不同技术的有限元方法仿真，可以分析典型的多芯片功率放大器模块中的芯片和互连线、键合线以及倒装芯片焊球之间的电磁场耦合效应。
• 提供对新型神经元网络 NeuroFET 模型的支持（通过 Agilent IC-CAP 器件建模软件提取），获得更精确的场效应管建模和仿真结果（例如大功率 GaN FET 放大器）。
