Cree 公司日前与Transphorm签署了一项非全球专利许可协议，该协议包括 GaN （氮化镓） HEMT和CaN肖特基二极管在电源转换领域的专利授权。
Cree公司专注于LED照明及GaN射频收发器技术，而Cree表示，GaN技术未来可用于1.2kV电源转换器以及600V高性能电源转换单元等。
利用GaN的HEMT（高电子迁移率晶体管）比传统硅功率器件更快速更高效，起初是由富士通发明用于解决射频功率问题。
“在过去的17年中，Cree的多项发明促进了氮化镓HEMT器件的实现。”Cree公司共同创始人兼CTO John Palmour表示，“这些专利将有助于他人制造GaN功率管理设备。”
“Cree的专利许可涵盖了氮化物材料，HEMT和肖特基二极管的设计和加工技术的各个方面。虽然目前GaN HEMT器件已经广泛在射频市场中使用，但为了随着Transphorm及其他公司的进入，GaN将会广泛应用于电源转换市场。”Cree发言人称。
Transphorm目前已经拥有一系列的分立GaN HEMT器件、肖特基二极管以及三项370V电机驱动器。
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