双镶嵌、矽通孔(TSV)、微机电(MEMS)与太阳能等领域湿沉积技术的供应商Alchimer，宣布与欧洲研究机构IMEC携手进行一项合作研发计划，为先进的奈米互连技术评估和实施铜(Cu) 填充解决方案。该计划的重点将是 Alchimer 的 Electrografting (eG) 产品系列，其已证明可在 7nm 节点装置上实现无空隙填充，并允许在阻挡层上直接进行铜填充，且镶嵌制程无需晶种层。由于 CMOS规模增加，使制程更加精细，因此市场要求铜镶嵌要有更小的尺寸 (<16/14 nm)，采用薄阻挡层，以及薄铜晶种层，或无铜晶种层。填充制程必须没有任何缺陷/空隙，以满足可靠性规范，并实现高良率。传统的物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)制程不能达到这些要求。Alchimer的湿沉积技术建立在分子构建制程的基础之上，突破了干沉积制程的局限性。
Alchimer 的执行长 Bruno Morel 表示：“我们相信，随着产业发展到更小的技术节点，效能和成本将推动技术的采用。eG 在先进镶嵌应用领域的效能，包括 20nm 以下的单、双镶嵌，已经在效能及持有成本两方面均展现出广阔前景。与 IMEC合作让我们能够获得巨大资源，藉此验证我们在12寸晶圆制程的技术适宜性，并瞭解如何为 18寸晶圆制程做好准备。”
该合作研发计划(JDP) 的目标是要获得在 22nm 以下技术的12寸晶圆制程环境中，eG 湿沉积制程的可靠性资料及电气效能。作为此项 JDP 的一部分，两间公司将对电镀化学法实施评估，并努力确定 12寸晶圆级先进镶嵌电镀应用的制程条件。
eG 填充允许在阻挡层上进行直接铜填充，而不再需要晶种层。此外，该技术还被证明能够在 7nm 节点装置上实现无空隙填充，以改善良率及效能。总之，它对终端影响很小，且均匀性优异。Alchimer 高度可扩展的湿沉积技术是满足先进镶嵌结构市场需求的解决方案，不仅如此，与传统的干沉积制程相比，该技术还能降低 25% 至 35% 的持有成本。
这是透过尽量减少使用昂贵的 PVD 与 CVD 制程实现的，因为该制程可以在仅需少改装的传统设备上实施。造成较低覆层及稳定化学作用的超保形层可在使用前即期混合。
