北京时间9月14日下午消息，
英特尔
研究人员表示，他们已经破解了
10纳米
晶片制造技术难题，为生能耗更低的先进晶片奠定了基础。
英特尔Ivy Bridge和Haswell两种晶片都将采用22纳米制造工艺生，在此之后，英特尔将转向14纳米制造工艺，并预计将在2013年晚些时候或2014年初开始用这种技术制造晶片。周三，在英特尔开发者论坛上，该公司高管透露他们还掌握了制造10纳米晶片的技术。
英特尔技术制造部门工艺架构与整合主管马克·波尔(Mark Bohr)说：“14纳米晶片技术现已处于全面的开发模式，正在为明年底启动全面生做准备。眼下，我将自己的个人时间都用在了10纳米技术上面，看上去我们已经找到了解决办法。”
波尔称，10纳米晶片技术可能依赖于一系列实验性技术，可能涉及光子学、材料合成、三栅级晶体管、极紫外光微影(EUV)等方面的技术。在有关如何生10纳米晶片的问题上，英特尔可能会采用沉浸式光刻(immersion lithography)技术，尽管它更希望使用EUV技术。
波尔暗示，使用EUV技术生10纳米晶片存在诸多困难：“我希望采用EUV技术生10纳米晶片，但我认为它届时还不成熟。”此外，EUV技术的制造成本也高于沉浸式光刻技术。英特尔研究团队还在积极探索生7纳米和5纳米晶片的技术，但这一目标距离现在过于遥远，因为10纳米晶片技术要到2015年才能达到生标准。
波尔后表示，与AMD、ARM等竞争对手不同的是，英特尔旗下拥有和运营晶片生工厂。他说：“工艺流程开发的确需要巨额投资，但也会带来巨大的经济优势。”
