佳能在该公司的技术展示会“Canon EXPO 2015 Tokyo”（11月4～6日于东京国际论坛大楼召开）上宣布，已证实可利用新一代半导体生产工艺——纳米压印技术生产线宽为11nm的半导体器件。
纳米压印是利用加工好图案的“模具”在硅基板上形成布线和元件的技术。采用基于曝光技术的现有生产工艺时，小线宽取决于波长，以足够高的投资回报率来继
续进行微细化已十分困难。纳米压印技术不存在曝光带来的波长限制。佳能打算与东芝联合推进纳米压印技术的实用化，从而继续推进微细化。此次该公司在日本首
次公开了纳米压印模具和加工后的晶圆。
佳能目前正着眼于20nm附近或者15~19nm的量产进行验证，预定2016年向半导体厂商提供多台纳米压印装置。由于从引进新一代制造装置到开始量产一般需要1年至1年半的时间，因此，采用纳米压印技术量产的半导体产品早要到2017年才能进入市场。
预计将采用纳米压印技术生产的，是微细化速度快的NAND闪存。对于现有生产工艺来说，就要用纳米压印工序替代替曝光工序。虽然，与可一次性处理的曝光
工序相比，新技术的处理速度可能会比较慢，但纳米压印装置的尺寸较小，因此可设置多台设备并行处理，从而防止处理速度成为瓶颈。
纳米压印模具
加工后的晶圆
可以看到图案
除了NAND闪存之外，纳米压印技术将来还有可能用于逻辑IC。不过，现有纳米压印技术偶尔会出现废弃物残留、形成的图案损坏等无法按照模具“印刷”的情 况，因此很难应用于逻辑IC的生产。只要一个IC内有一个地方存在缺陷，这个IC就不合格，从而直接导致成品率降低。而对于NAND闪存，就算存在不合格 元件（单元），可以通过不使用该元件或者使用纠错技术等方法来解决，因此实用化门槛较低。
