近日，记者从鲁巷广场往南走10余公里，来到了武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称：武汉新芯）总部所在地。在光谷的东南部腹地，武汉新芯给记者深的印象就是：严谨而神秘。
一栋五层高的白色办公楼紧连着一大片封闭的生产区，在经过层层安保程序后，记者才被允许进入公司园区内。作为一家高精尖企业，为保证产品质量，该公司办公区域的每一道门都需要磁卡和密码验证才能放行。与之配套，整个园区的每一个关键区域都标注有责任人，姓名、职务和联系方式等基本信息全部公示。“这就是制作集成电路的材料。”指着一片薄薄的圆状晶片，武汉新芯相关工作人员介绍说，该薄片先由石英砂精炼而成单晶硅晶棒，经过照相制版、研磨、抛光和切片等程序，就可以制造集成电路的基本原料——硅晶圆片，这也是武汉新芯发力集成电路产业的重要载体。
就在国庆前夕，在该公司一个简洁的会议室里，武汉新芯与全球闪存公司美国飞索半导（Spansion）正式签约，双方将联合研发生产3D NAND（三维闪存芯片）。该公司也成为目前国内首个进军这一领域的半导体企业。按照协议，双方将快速切入三维闪存芯片领域，项目预计在2016年底投产、2017年进入全面量产、2018年生产能力将会达到20万片。“这次，我们与美国、日本和韩国等强手站上同一起跑线。”武汉新芯副总经理李平信心满满地说。
承载着集成电路产业的“湖北梦”，武汉新芯目前闪存芯片出货量已突破10万片。武汉新芯董事长王继增高兴地表示，这一数字将具有里程碑式的意义，“有助于巩固武汉新芯在存储器产品中的领导地位”。
实际上，一直以来，这家光谷企业创新的步伐未曾停歇。不久前，由国家科技部主导，汇聚清华、北大、中科院微电子所和中芯国际等国内顶级科研力量的“集成电路先导技术研究院”正式成立，武汉新芯也是其为数不多的成员之一。以武汉新芯为主体，光谷正在申建存储器工程技术中心，打造全国的存储器及特殊工艺研发和生产基地。
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